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Advanced Technical Information
IXKC 15N60C5
1.2
0.5
100
T JV = 150°C
6.5 V
I D = 12 A
V GS = 10 V
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
1
0.8
5.5 V
6V
10 V
0.4
80
25 °C
V DS =
5V
7V
0.3
60
0.6
98%
0.4
0.2
0
0.2
0.1
0
typ
40
20
0
T J = 150 °C
0
10
20
30
40
50
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state resistance
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
2
10
10
5
I D = 12 A pulsed
25 °C, 98%
9
V GS = 0 V
f = 1 MHz
25 °C
150 °C, 98%
8
V DS = 120 20 V
10
4
10
1
T J = 150 °C
7
40 0V
Ciss
6
5
10
3
10
0
4
3
2
1
10
10
2
1
Coss
Crss
10
-1
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
0
100
200
300
400
500
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
600
I D = 7.9 A
700
I D = 0.75 mA
10
0
500
400
660
0.5
0.2
D = t p /T
300
620
10
-1
0.1
0.05
200
100
580
0.02
0.01
single pulse
0
540
10
-2
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
Fig. 10 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
t p [s]
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209b
4-4
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